纳米晶模切技术工艺

      2015年手机无线充电发生了里程碑式的变化，三星推出首款无线充电旗舰手机GalaxyS6，不仅兼容两种无线充电的标准，WPC和PMA，还配置了两种支付标准NFC和MST，匹配用的软磁屏蔽材料除了铁氧体外，首次使用了非晶导磁片，使得手机不仅做的轻薄精美，还大幅提升了无线充电效率。到2016年三星又做了改进，把磁性材料全部换成了更加先进的纳米晶导磁片，引领无线充电技术的变革，始终处于领先地位。从这几年的发展历程看，在功能上从单纯的无线充电加上了NFC和MST近场通讯的功能。磁性材料则从铁氧体逐渐过渡到纳米晶。
      纳米晶软磁合金是非晶态带材通过特殊的热处理工艺实现的。首先把具有特定成分的非晶态带材放进热处理炉里通过定向控制生成100纳米以内的晶粒，实际上形成的是非晶和纳米晶的混合结构。
      纳米晶和钴基非晶、铁氧体相比，它具有饱和磁感高，可以减小磁性器件体积。磁导率高，损耗小，矫顽力小，可以降低磁性器件损耗，因此，纳米晶合金是高频电力电子应用中的最佳软磁材料。
      随着电子产品正在向高频、节能、小型、集成化方向发展，应用频率也在不断提高，带材一代代更新。从最初的传统制带工艺（国内现有生产水平）厚度22-30μm，到现在带材发展到三代、四代，用先进制带工艺（国际先进生产水平）可做到14-22μm。而且掌握了更薄的制带技术。纳米晶带材的发展趋势就是超薄带。
材料搭配明细
工艺产品示意图及结构图
工艺详细步骤及机器示意图
      一、贴合步骤
      1、先将0.075透明硅胶保护膜5-8g固定好位置在贴合机上，粘性面朝上；
      2、再将两条0.1原膜PET靠两边贴合在0.075的透明硅胶保护粘性面上；
      3、将纳米晶与0.05保护膜0-1g覆合好收卷，再把纳米晶保护膜面覆在0.075透明硅胶保护膜上。
      二、一冲冲切注意事项
      刀模往纳米晶面冲切，只冲断纳米晶和保护膜，其它不能冲断。
      三、贴合步骤
      1、在贴合机上排除纳米晶边缘废料；
      2、居中贴合双面胶贴在纳米晶表面；
      3、收卷背胶自带离型纸（膜）；
      4、同时覆0.025哑光膜1-3g在背胶之上；
      5、底部收卷硅胶保护膜，同时覆哑黑膜、+0.05透明硅胶保护膜1-3g、+0.075亚克力保护膜1-3g。
      四、二冲冲切注意事项
      1、刀模往0.025哑光膜1-3g面冲切；
      2、手柄处只能冲断哑黑膜；
      3、0.05蓝色硅胶保护膜和0.075亚克力保护膜不能冲断。
      五、贴合步骤
      1、在贴合机上排除手柄废料；
      2、排除产品外围边废料；
      3、使用封箱胶排除产品上的哑光膜；
      4、覆白色离型膜1-3，同时收卷0.075亚克力保护膜，产品成型收卷。


转载自：模切易得通